投資建議

 

    第三代化合物半導體材料碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高載流子遷移率等優(yōu)良的物理特性，若用碳化硅材料制龍頭股成的半導體器件去代替硅基電力電子開關，可以使電力電子系統(tǒng)效率優(yōu)化、功率密度得到提升，并降低系統(tǒng)成本，或為終端客戶在產(chǎn)品生命周期內創(chuàng)造更大收益。我們認為，在新能源車龍頭股、光伏發(fā)電等重點行業(yè)終端出貨量快速成長，疊加SiC滲透率提升且短期內器件價格降幅有限的背景下，2022-2024 年SiC器件市場規(guī)模有望迎來增速最快的三年周期。中國相關供應商雖起步較晚，但得益于新能源車、光伏逆變器本土品牌商市場份額提升，我們認為國內企業(yè)獲得了入場機會，且有望通過技術快速迭代和產(chǎn)能擴張受益于SiC器件全球需求景氣及國產(chǎn)化趨勢。

 

    理由

 

    受制于上游原材料供應較少，短期SiC器件供需仍有望維持緊張。我們測算，2021 年全球6 英寸SiC襯底年產(chǎn)能在50 萬片，并在積極擴產(chǎn)之中，2022年新能源車+光伏應用有望帶來4.5 萬片/月（54 萬片/年）6 寸SiC襯底產(chǎn)能需求（已考慮良率）�？紤]到導電襯龍頭股底需求正在快速爬坡，我們認為在8 寸晶圓大規(guī)模普及之前，導電型襯底供應量較少依然制約了SiC器件市場快速發(fā)展，器件價格年降幅也相對有限。

 

    五年全球SiC器件概念股及模塊市場規(guī)模有望突破百億美元。根據(jù)我們對新能源車、光伏等主要賽道自下而上市場規(guī)模的測算，我們認為2027 年全球SiC器件（不含模塊）全行業(yè)市場規(guī)模有望達到76 億美元，包含模塊的全行業(yè)市場規(guī)模達到112 億美元，2022-27 年五年復合增速超過35%，其中22-24年是行業(yè)增速的最快時期。而在2025 年前后，我們認為8 寸晶圓有望大規(guī)模應用，加速SiC成本下降，但SiC在全行業(yè)中滲透率也有望呈現(xiàn)快速提升。

 

    中國企業(yè)有望迎來較大商業(yè)機會。在22-24 年間，我們認為中國本土新能源車、光伏逆變器龍頭股品牌商有望積極推動SiC器件滲透，相關需求有望快速成長卻面臨全球SiC器件供應量受限。我們認為，本土SiC器件供應商有望把握國產(chǎn)替代機會，復制硅基IGBT時代輝煌，擁有全產(chǎn)業(yè)一體化（材料、制造、封測）能力的企業(yè)存在著更大的競爭優(yōu)勢。技術路徑上，我們認為中國企業(yè)有望依照SiC二極管->高導通電阻MOS->低導通電阻MOS->大電流模塊產(chǎn)品的四段式路徑進行迭代，目前大部分企業(yè)已擁有了SiC二極管及高導通電阻龍頭股MOS產(chǎn)品的設計或制造能力。

 

    盈利預測與估值

 

    建議關注三安光電、斯達半導、華潤微等上市公司以及部分技術龍頭股領先的未上市企業(yè)。

 

    風險

 

    SiC器件龍頭股滲透率不及預期、行業(yè)龍頭股競爭加劇、中國企業(yè)技術龍頭股迭代及擴產(chǎn)較慢。

 

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